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(填空题)N型半导体中多数载流子是___,P型半导体中多数载流子是____。(本题4.0分
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PN结在未达到平衡前存在两种载流子的运动，即（）
A、载流子的浓度差引起的多子的漂移，电场引起的少子的扩散
B、载流子的浓度差引起的多子的漂移，电场引起的少子的漂移
C、载流子的浓度差引起的多子的扩散，电场引起的少子的扩散
D、载流子的浓度差引起的多子的扩散，电场引起的少子的漂移
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MOSFET的温度特性体现为：（）。
A、温度升高，载流子迁移率升高，跨导升高，阀值电压升高
B、温度升高，载流子迁移率升高，跨导下降，阀值电压下降
C、温度升高，载流子迁移率下降，跨导下降，阀值电压升高
D、温度升高，载流子迁移率下降，跨导下降，阀值电压下降
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若在本征半导体中掺入某些适当微量元素后，若以空穴导电为主的称___\_，若以自由电子导电为主的称______。
A.PNP型半导体／NPN型半导体
B.N型半导体／P型半导体
C.PN结／PN结
D.P型半导体／N型半导体