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MOSFET的温度特性体现为:()。

A、温度升高,载流子迁移率升高,跨导升高,阀值电压升高

B、温度升高,载流子迁移率升高,跨导下降,阀值电压下降

C、温度升高,载流子迁移率下降,跨导下降,阀值电压升高

D、温度升高,载流子迁移率下降,跨导下降,阀值电压下降

相关标签: 载流子  

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  • PN结形成的过程中,P型半导体中的多数载流子空穴向()区进行扩散,N型半导体中的多数载流子自由电子向()区进行扩散。

  • 场效应管参与导电的载流子是()。

    A、电子

    B、空穴

    C、多数载流子

    D、少数载流子

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