载流子
A、正确
B、错误
A、磁场;B、电功率;C、载流子浓度;D、载流子类型。
半导体传感器是通过材料的电特性变化实现被测量的转换,下列关于气敏传感器工作机理的描述,不正确的是()。
A、氧化性气体吸附到N型半导体上,使半导体载流子减少,电阻值增加
B、氧化性气体吸附到P型半导体上,使半导体载流子增多,电阻值减少
C、还原性气体吸附到P型半导体上,使半导体载流子减少,电阻值增加
D、还原性气体吸附到N型半导体上,使半导体载流子减少,电阻值增加
光照射在一块掺杂浓度为1017cm-3的N型硅样品上,假设光照引起的载流子产生率为1013cm-3,求少数载流子浓度和电阻率。
半导体材料的电阻率与载流子浓度有关,同样的掺杂浓度,载流子的迁移率越大,材料的电阻率()
A、越高
B、不确定
C、越低
D、不变
PN结形成的过程中,P型半导体中的多数载流子空穴向()区进行扩散,N型半导体中的多数载流子自由电子向()区进行扩散。
在N型半导体中,电子是多数载流子,空穴是少数载流子,多子(自由电子)的数量=()+少子(空穴)的数量。
A、正离子数
B、负离子数
C、质子
D、原子
下列关于P型半导体的说法正确的是()。
A、自由电子`数大于空穴总数
B、空穴总数远大于自由电子数
C、自由电子成为多数载流子
D、空穴成为少数载流子
简述光生伏特效应中正确的是()
A、用能量小于禁带宽度的光子照射p-n结;
B、p、n区都产生电子—空穴对,产生平衡载流子;
C、平衡载流子破坏原来的热平衡;
D、非平衡载流子在内建电场作用下,n区空穴向p区扩散,p区电子向n区扩散;若p-n结开路,在结的两边积累电子—空穴对,产生开路电压。
假设某LED具有100MHz的3-dB电带宽(完全决定于其载流子寿命)。试求载流子寿命,并画出此二极管在0~500MHz范围内类似于下图的归一化频率响应曲线
A.空穴/自由电子
B.自由电子/空穴
C.空穴/共价键电子
D.负离子/正离子
一块半导体寿命τ=15μs,光照在材料中会产生非平衡载流子,光照突然停止30μs后,其中非平衡载流子将衰减到原来的()。
A、1/4;
B、1/e;
C、1/e2;
D、1/2
N型半导体中的多子是带负电的自由电子载流子,P型半导体中的多子是带正电的空穴载流子,因此说N型半导体带负电,P型半导体带正电。上述说法对吗?为什么?
半导体传感器是通过材料的电特性变化实现被测量的转换,当氧化性气体吸附到N型半导体上,使半导体载流子减少,电阻值();当氧化性气体吸附到P型半导体上,使半导体载流子(),电阻值减少。
关于本征半导体载流子,下面描述错误的是:()
A、自由电子和空穴总是成对出现
B、电子可以自由移动,空穴不能自由移动
C、在温度升高和受光照射时,载流子的数目将增加
D、自由电子和空穴在外电场作用下,运动方向相反,形成的电流方向相同,总电流是两者之和
三极管基极的作用是()载流子。
A.发射
B.输送控制
C.收集
D.放大