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一块半导体寿命τ=15μs,光照在材料中会产生非平衡载流子,光照突然停止30μs后,其中非平衡载流子将衰减到原来的()。

A、1/4;

B、1/e;

C、1/e2;

D、1/2

相关标签: 载流子   半导体  

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  • 电导率σ=nqμ,其中n是,q是,μ是。()
    A.载流子的数量,电场强度,载流子的迁移率
    B.载流子的类型,载流子的电荷量,载流子的迁移速度
    C.载流子的数量,载流子的电荷量,载流子迁移速率
    D.载流子的类型,载流子的电荷量,载流子的迁移率
  • MOSFET的温度特性体现为:()。

    A、温度升高,载流子迁移率升高,跨导升高,阀值电压升高

    B、温度升高,载流子迁移率升高,跨导下降,阀值电压下降

    C、温度升高,载流子迁移率下降,跨导下降,阀值电压升高

    D、温度升高,载流子迁移率下降,跨导下降,阀值电压下降

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