（）效应是少数载流子到店的光电效应，而（）效应是多数载流子到店的光电效应。

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• PN结形成的过程中，P型半导体中的多数载流子空穴向（）区进行扩散，N型半导体中的多数载流子自由电子向（）区进行扩散。

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• MOSFET的温度特性体现为：（）。

  A、温度升高，载流子迁移率升高，跨导升高，阀值电压升高

  B、温度升高，载流子迁移率升高，跨导下降，阀值电压下降

  C、温度升高，载流子迁移率下降，跨导下降，阀值电压升高

  D、温度升高，载流子迁移率下降，跨导下降，阀值电压下降

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