对于铸造多晶硅氧浓度越（），钝化效果越（），少数载流子寿命增加越（）

A、低，好，多

B、低，好，少

C、低，差，多

D、高，好，多

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• MOSFET的温度特性体现为：（）。

  A、温度升高，载流子迁移率升高，跨导升高，阀值电压升高

  B、温度升高，载流子迁移率升高，跨导下降，阀值电压下降

  C、温度升高，载流子迁移率下降，跨导下降，阀值电压升高

  D、温度升高，载流子迁移率下降，跨导下降，阀值电压下降

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• 实现对CVD淀积多晶硅掺杂主要有三种工艺：扩散、离子注入、原位掺杂。由于原位掺杂比较简单，所以被广泛采用。

  A、对

  B、错

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