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在集成电路版图设计中，器件之间的联接是通过引线孔和金属层联接的，如有源区的引出，多晶硅电阻的联接。
A、对
B、错
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实现对CVD淀积多晶硅掺杂主要有三种工艺：扩散、离子注入、原位掺杂。由于原位掺杂比较简单，所以被广泛采用。
A、对
B、错
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做集成电路的多晶硅电阻设计时，要计算每个电阻的阻值，那么电阻的长度是怎样计算的？（）
A、整个多晶硅的长度
B、多晶硅中两个引线孔中心点的距离
C、多晶硅中两个引线孔内侧的距离
D、多晶硅中两个引线孔外侧的距离
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在做集成电路的多晶硅电容设计时，要计算每个电容的容值，那么电容的面积大小是怎样计算的？（）
A、第一层多晶硅的面积
B、第二层多晶硅的面积
C、二层多晶硅重叠后的面积
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新建多晶硅项目规模必须大于3000吨/年，占地面积小于6公顷/千吨多晶硅，太阳能级多晶硅还原电耗小于60千瓦时/千克，还原尾气中四氯化硅、氯化氢、氢气回收利用率不低于。
A．99%、99%、99%
B．98.5%、99%、99%
C．98.5%、98%、99%
D．97%、99%、99%