在做集成电路的多晶硅电容设计时，要计算每个电容的容值，那么电容的面积大小是怎样计算的？（）

A、第一层多晶硅的面积

B、第二层多晶硅的面积

C、二层多晶硅重叠后的面积

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• 实现对CVD淀积多晶硅掺杂主要有三种工艺：扩散、离子注入、原位掺杂。由于原位掺杂比较简单，所以被广泛采用。

  A、对

  B、错

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• 以下属于我国产能过剩行业的有()。

  A.钢铁

  B.水泥

  C.平板玻璃

  D.煤化工

  E.多晶硅

  F.风电设备

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• 太阳辐射量较低.散射分量较大.环境温度较高的地区宜选用（）。

  A、单晶硅光伏组件

  B、多晶硅光伏组件

  C、薄膜光伏组件

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• （31分)2010年我国经济工作的主要任务之一是：加大经济结构调整的力度，提高经济发展的质量和效益。目前我国钢铁、水泥、平板玻璃、多晶硅等行业产能过剩。阅读材料，结合所学知识回答下列问题。
  
  材料一受多晶硅市场的驱动，06年开始，国内掀起投资多晶硅项目的热潮。到2009年6月底，我国已有19家企业投产，另有10多家企业在建，若这些产能全部兑现，将超过全球需求量的2倍以上。目前，我国的多晶硅行业生产技术落后、成本高（我国多晶硅70美元／公斤，国外30—50美元／公斤)、能耗高、环境污染严重。据专家预测，该行业即将经历大洗牌，有些企业面临转产或者倒闭的命运。
  材料二多晶硅行业只是我国产能过剩的一个缩影。形成产能过剩的原因有很多，其中，某些地方政府具有很强的多以投资拉动经济的冲动。同时，政府权力被滥用也是形成我国产能过剩的原因之一。
  （1)运用《经济学常识》中价值规律的理论，结合图10，对材料一加以分析。（9分)
  （2)运用《经济生活》的相关知识，回答国家应如何解决材料一、二中存在的问题。（11分)
  （3)运用《政治生活》的相关知识，回答在治理产能过剩的过程中，怎样防止政府权力被滥用？（11分)

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• 在集成电路版图设计中，器件之间的联接是通过引线孔和金属层联接的，如有源区的引出，多晶硅电阻的联接。

  A、对

  B、错

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