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T=300K，n型硅衬底杂质浓度为ND=1016cm-3，计算肖特基势垒高度ΦB0、半导体侧的接触电势差Vbi、空间电荷区厚度W。
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A.接触电势差；B.跨步电势差；C.接触电位差；D.跨步电位差。 -
室温下利用光电效应已测得银及铯的光电效应阀值分别为4.8eV和1.8eV。求：（1）采用里查孙－杜师曼公式分别估算银及铯在室温下的热电子发射电流密度；（2）若温度上升至800K时，其热电子发射电流密度为多少？（3）若把银与铯两种金属接触在一起，求出室温下它们的接触电势差。