有两块单晶硅样品，它们分别掺有1015cm-3的硼和磷，试计算300K时这两块样品的电阻率，并说明为什么N型硅的导电性比同等掺杂的P型硅好。
集成电路的基本制造工艺是：首先是对圆柱形的单晶硅进行（），生产大片的（），并在其上制造出大量电路单元。
某单晶硅样品中每立方厘米掺有1015个硼原子，试计算K300时该样品的准自由电子浓度、空穴浓度以及费米能级。如果掺入的是磷原子它们又是多少？
实现对CVD淀积多晶硅掺杂主要有三种工艺：扩散、离子注入、原位掺杂。由于原位掺杂比较简单，所以被广泛采用。
A、对
B、错
