单晶硅谐振式压力(差压)变送器的核心部件是().
A.电容
B.硅谐振器(谐振梁)
C.振弦
D.硅油
有两块单晶硅样品,它们分别掺有1015cm-3的硼和磷,试计算300K时这两块样品的电阻率,并说明为什么N型硅的导电性比同等掺杂的P型硅好。
单晶硅生长常用()和()两种生长方式,生长后的单晶硅被称为()。
目前大多数集成电路生产中,所采用的基本材料为()。
A、非晶硅
B、单晶硅
C、多晶硅
D、硫化镉
集成电路的基本制造工艺是:首先是对圆柱形的单晶硅进行切片,生产大片的(),并在其上制造出大量电路单元,然后按照制造的电路单元被切割成方形的()。