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（）是影响硅器件成品率的一个重要因素，也是影响器件性能的稳定性和可靠性的重要因素。
A、点缺陷
B、线缺陷
C、面缺陷
D、微缺陷
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在离子型材料中，影响扩散的缺陷来自两个方面：热缺陷和掺杂点缺陷。由它们引起的扩散分别称为（）。
A、自扩散和互扩散
B、本征扩散和非本征扩散
C、无序扩散和有序扩散
D、稳定扩散和不稳定扩散
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如下说法哪个是正确的（）
A、形成点缺陷所引起的熵的变化使晶体能量增加
B、晶体总是倾向于降低点缺陷的浓度
C、当点缺陷浓度达到平衡值时，晶体自由能最低
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下列属于实际金属晶点缺陷的有（）Ⅰ．空位；Ⅱ．位错；Ⅲ．置换原子；Ⅳ．间隙原子；Ⅴ．亚晶界。
A、Ⅰ+Ⅴ
B、Ⅰ+Ⅱ+Ⅲ+Ⅳ
C、Ⅰ+Ⅲ+Ⅳ
D、Ⅱ+Ⅲ+Ⅳ
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在离子型材料中，影响扩散的缺陷来自两个方面：热缺陷与不等价置换产生的点缺陷，后者引起的扩散为（）。
A、互扩散
B、无序扩散
C、非本征扩散
D、本征扩散