场效应晶体管根据结构不同分为两大类，它们的类型和简称是（）

A、结型场效应晶体管，简称JFET

B、绝缘栅型场效应晶体管，简称JFET

C、结型场效应晶体管JGFET

D、绝缘栅型场效应晶体管JGFET

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• 跟DRAM相比，SRAM的特点是（）

  A、每位晶体管数目多，访问时间短，抗干扰强，花费高

  B、每位晶体管数目多，访问时间长，抗干扰强，花费高

  C、每位晶体管数目少，访问时间长，抗干扰弱，花费高

  D、每位晶体管数目少，访问时间短，抗干扰强，花费低

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• 晶体管的一个重要高频参数是它的（）频率fT，它是晶体管的下降为时的工作频率。晶体管的结电容越小，其fT参数越大。

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• 晶体管V1的=50，晶体管V2的=30，若两管组成复合晶体管，则该复合晶体管的p约为（）。

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