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“光电二极管与光电池相比较，其特性有所不同，下列的说法不不正确的是（）
A、它们的掺杂浓度不同，光电池掺杂浓度较低，而光电二极管掺杂浓度高
B、它们的电阻率不同，光电池的电阻率低
C、工作电压偏置条件不同，光电池通常在零偏置下工作，而硅光电二极管通常在反向偏置下工作
D、它们的光电流的大小不同，硅光电二极管的光电流小得多，通常在微安级
相关标签： 光电池 二极管 电阻率
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下列器件运用外光电效应的是（）
A、光电倍增管
B、光电池
C、像增强管
D、光敏电阻
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用万用表测量二极管电阻，检测二极管的好坏（）。
A、正向电阻小，反向电阻大，二者相差较大，说明二极管正常
B、正向电阻大，反向电阻小，二者相差较大，说明二极管正常
C、正向电阻和反向电阻二者接近，相差不大，说明二极管性能不好或已损坏
D、正向电阻和反向电阻都非常小，说明二极管已被击穿，不能使用
E、电阻和反向电阻都非常大，说明二极管正常
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光照一定，短路电流与入射光波长的关系，属光电池的（）特性。
A、频率
B、伏安
C、光谱
D、温度
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为什么在光照度增大到一定程度后，硅光电池的开路电压不再随入射照度的增大而增大？硅光电池的最大开路电压为多少？为什么硅光电池的有载输出电压总小于相同照度下的开路电压？