电力晶体管GTR;可关断晶闸管();功率场效应晶体管MOSFET;绝缘栅双极型晶体管IGBT;IGBT是MOSFET和GTR的复合管。
晶体管V1的=50,晶体管V2的=30,若两管组成复合晶体管,则该复合晶体管的p约为()。
晶体管的一个重要高频参数是它的()频率fT,它是晶体管的下降为时的工作频率。晶体管的结电容越小,其fT参数越大。