负电子
我国1988年建成的北京正一负电子对撞机是（）。
A、激光实验装置的
B、基因工程实验装置
C、高分子化学实验装置
D、高能物理实验装置
A．激光实验装置的
B．基因工程实验装置
C．高分子化学实验装置
D．高能物理实验装置
电子的质量为m.，一对正、负电子以一定的速度相碰湮灭后放出一对光子，c为光速，h为普朗克常量，以下说法中正确的是（）。
A、A
B、B
C、C
D、D
电介质的主要特点有：（）。
A、电子束缚在母原子周围，不能离开
B、通常电场作用下，电子不会流动
C、不能产生电流
D、正、负电子在电场作用下，可以偏离其平衡位置产生极化
X或γ光子的能量用于产生一对电子和负电子，这种效应称之为（）。
A、光电效应
B、康普顿效应
C、正负电子对效应
D、光核反应
E、瑞利散射
A光电效应
B康普顿效应
C正负电子对效应
D光核反应
E瑞利散射
对于云雾大气，上升运动很弱，其带电的原因不可能是强上升气流引起的，对云雾粒子的荷电可能解释为（）引起的
A、大气正电子扩散
B、大气负电子扩散
C、大气光子扩散
D、大气离子扩散
B:特征放射、光电子和负离子
C:特征放射、正电子和正离子
D:特征放射、光电子和正离子E.轫致辐射、负电子和负离子
根据照射量的定义，错误的是（）
A、只是针对X（γ）射线
B、定义在单位质量空气中
C、测量释放出的所有次级电子，包括正、负电子
D、次级电子完全被阻止在空气中
E、测量同一符号的离子总电荷，包括由韧致辐射而产生的电离
现代物理研究表明，当一个高能光子与一个重原子核作用时，该光子可以转化为（），这叫电子对的产生。
A、一个正电子和一个负离子
B、一个正电子和一个负电子
C、一个正离子和一个负离子
D、一个正中子和一个负离子
关于电子对效应的以下说法错误的是（）
A、电子对效应中，入射光子消失
B、光子转化为1个正电子和1个负电子
C、普通X射线管发出的X射线，会出现电子对效应
D、加速器产生的高能X射线，会出现电子对效应
哪项不是关于M胆碱受体激动剂分子结构的构效关系（）
A、需要一个带正电荷的基团
B、常带有一个负电子中心
C、季氮原子与乙酰基末端氢之间为5个碳原子
D、带正电荷为季铵活性最高
E、季氮原子与乙酰基末端氢之间为2个碳原子
电子的质量为me，一对正、负电子以一定的速度相碰湮灭后放出一对光子，c为光速.h为普朗克常量，以下说法中正确的是()。
A、这对光子的总能量等于2mec2
B、这对光子的总能量大于2meC2
C、光子的波长等于h/mec
D、光子的波长大于h/mec
对于光电发射效应，下列说法不正确的是（）
A、光电发射效应，又称外光电效应
B、金属光电发射量子效率都很低，且大多数金属的光谱响应都在紫外或远紫外区
C、半导体光电发射的量子效率远高于金属：光电发射的过程是体积效应，表面能带弯曲降低了电子逸出功，特别是负电子亲和势材料（NEA）
D、良好的光电发射体，应该具备的基本条件之一是表面势垒高
(A)本征半导体是电子与空穴两种载流子同时参予导电，而杂质半导体(n型或p型)只有
一种载流子(电子或空穴)参予导电，所以本征半导体导电性能比杂质半导体好．
(B)n型半导体的导电性能优于p型半导体，因为n型半导体是负电子导电，p型半导体
是正离子导电．
(C)n型半导体中杂质原子所形成的局部能级靠近空带(导带)的底部，使局部能级中多余
的电子容易被激发跃迁到空带中去，大大提高了半导体导电性能．
(D)p型半导体的导电机构完全决定于满带中空穴的运动．
A.本征半导体是电子与空穴两种载流子同时参予导电,而杂质半导体(n型或p型)只有一种载流子(电子或空穴)参予导电,
所以本征半导体导电性能比杂质半导体好.
B.n型半导体的导电性能优于p型半导体,因为n型半导体是负电子导电,p型半导体是正离子导电.
C.n型半导体中杂质原子所形成的局部能级靠近空带(导带)的底部,使局部能级中多余的电子容易被激发跃迁到空带中去,大大提高了半导体导电性能.
D.p型半导体的导电机构完全决定于满带中空穴的运动.
透过被照体的X线照射到平板探测器的非晶硒层时，由于非晶硒的导电特性被激发出电子-空穴对，即一对正负电子。该电子-空穴对在外加偏置电压形成的电场作用下被分离并反向运动，负电子跑向偏压的正极，正电子跑向偏压的负极，于是形成电流。电流的大小与入射X线光子的数量成正比，这些电流信号被存储在TFT的极间电容上。每个TFT形成一个采集图像的最小单元，即像素。每个像素区内有一个场效应管，在读出该像素单元电信号时起开关作用。在读出控制信号的控制下，开关导通，把存储于电容内的像素信号逐一按顺序读出、放大，送到A/D转换器，从而将对应的像素电荷转化为数字化图像信号。场效应管的作用是（）
A、产生电荷
B、存储电荷
C、开关
D、A/D转换
E、放大
透过被照体的X线照射到平板探测器的非晶硒层时，由于非晶硒的导电特性被激发出电子-空穴对，即一对正负电子。该电子-空穴对在外加偏置电压形成的电场作用下被分离并反向运动，负电子跑向偏压的正极，正电子跑向偏压的负极，于是形成电流。电流的大小与入射X线光子的数量成正比，这些电流信号被存储在TFT的极间电容上。每个TFT形成一个采集图像的最小单元，即像素。每个像素区内有一个场效应管，在读出该像素单元电信号时起开关作用。在读出控制信号的控制下，开关导通，把存储于电容内的像素信号逐一按顺序读出、放大，送到A/D转换器，从而将对应的像素电荷转化为数字化图像信号。关于该平板探测器的叙述错误的是（）
A、属于直接转换
B、属于间接转换
C、成像效果好于IP
D、数据转换不经过可见光
E、需要高压电场
(题干)透过被照体的X线照射到平板探测器的非晶硒层时，由于非晶硒的导电特性被激发出电子-空穴对，即一对正负电子。该电子-空穴对在外加偏置电压形成的电场作用下被分离并反向运动，负电子跑向偏压的正极，正电子跑向偏压的负极，于是形成电流。电流的大小与入射X线光子的数量成正比，这些电流信号被存储在TFT的极间电容上。每个TFT形成一个采集图像的最小单元，即像素。每个像素区内有一个场效应管，在读出该像素单元电信号时起开关作用。在读出控制信号的控制下，开关导通，把存储于电容内的像素信号逐一按顺序读出、放大，送到A/D转换器，从而将对应的像素电荷转化为数字化图像信号。关于该平板探测器的叙述，错误的是A.属于直接转换
B.属于间接转换
C.成像效果好于IP
D.数据转换不经过可见光
E.需要高压电场
场效应管的作用是A.产生电荷
B.存储电荷
C.开关
D.A/D转换
E.放大